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规格书 |
IPP,IPI052NE7N3 G |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 75V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 80A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 5.2 mOhm @ 80A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.8V @ 91µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 68nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 4750pF @ 37.5V |
功率 - 最大 | 150W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 80A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.8V @ 91µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 75V |
标准包装 | 500 |
供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 5.2 mOhm @ 80A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 150W |
封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 4750pF @ 37.5V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 68nC @ 10V |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 80 A |
零件号别名 | IPI052NE7N3GAKSA1 SP000657442 |
下降时间 | 8 nS |
安装风格 | Through Hole |
商品名 | OptiMOS |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 175 C |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 30 nS |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | IPI052NE7 |
RDS(ON) | 5.2 mOhms |
功率耗散 | 150 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 11 nS |
漏源击穿电压 | 75 V |
栅极电荷Qg | 51 nC |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 75 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
宽度 | 4.5 mm |
Qg - Gate Charge | 51 nC |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 80 A |
长度 | 10.2 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 5.2 mOhms |
身高 | 9.45 mm |
Pd - Power Dissipation | 150 W |
技术 | Si |
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